作为20世纪最重要的发明之一，晶体管是电子设备放大或切换电信号的核心元件。近年来，伴随着电子设备的小型化趋势，传统的硅基晶体管的尺寸缩小至物理极限，其性能提升逐渐陷入停滞，这使得AI、大数据等对高性能计算需求迫切的领域面临技术瓶颈。

氧化铟镓晶体管

据外媒报道，日本东京大学工业科学研究所研究团队开发出一款全新的氧化铟镓晶体管，有望为解决这一问题带来突破。据介绍，研究团队摒弃传统硅材料，基于镓掺杂氧化铟制造晶体管，并采用“全环绕栅极”结构。这种结构能提高晶体管工作效率和可扩展性。研究团队通过原子层沉积技术，在沟道区域逐层涂覆氧化铟薄膜，经加热使其转变为晶体结构，成功制造出全环绕栅极“金属氧化物场效应晶体管”（MOSFET）。

测试显示，这种晶体管在施加应力的情况下，能稳定工作近3小时，性能优于此前报道的类似器件。目前，这一研究成果已在2025年超大规模集成电路技术与电路研讨会上发表，为开发适用于大数据和AI等高计算需求的可靠、高密度电子元件提供了新方向。

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